Abstract
在本論文中，建立基極電阻的物理模型，與分析在直流及交流破壞下，電流對電壓、基極電流雜訊的退化情形。並且建立交流破壞模型。此基極電阻物理模型適用低偏壓到高偏壓狀態和任意的摻雜濃度結構。考慮基極－射極、基極－集極介面的基極寬度擴張與基極通道內載子分佈隨偏壓和任意摻雜濃度的變化。基極電阻隨偏壓愈大，值愈小。此理論值經由PISCES模擬軟體與直流和雜訊量測法驗證下，非常符合。利用穿隧電阻模型，解釋直流反偏破壞可靠度實驗後，未燒毀元件在低電壓時出現的大電流現象，並且建立上述特性的溫度效應模型，發現溫度上升使得穿隧電阻下降及基極電流雜訊上升。同時發現在可靠度分析中，雜訊量測比電流量測來得靈敏。從交流破壞可靠度研究中，發現操作頻率越小，有較小的元件特性退化。在此建立模型來解釋在破壞的時間裡，其退化情形；模型中包括在負振幅週期內熱載子破壞和室溫恢復效應與在正振幅週期內與電壓和頻率有關的恢復效應。從設計考量的論點，考慮良好的基極電阻值、電流電壓關係、崩潰電壓和元件可靠度。最佳化的特性元件結構是離子佈植能量在中準位。