Abstract
由於複晶矽氧化層對E2PROM 的運作有很重要的影響，因此了解並改進其電性對改進E2PROM 的持性有很大的幫助，本實驗即在探討在各種不同狀況下得出的複智歹氧化層其電性之差異及改進的方法。本實驗中複晶矽氧化層厚度小於1000A ，長氧化層溫度由800 ℃至1100 ℃，由變化長氧化層溫度、厚度，外加電壓極性，電極形狀的效應，退火效應重複氧化對複晶矽表面的影響，電荷捕捉效應及氧化層之崩潰，逐一探討各種效應或變化對其特性之影響，由實驗結果顯示，複晶矽的表面會愈不平，導致電場加強，使得複智矽氧化層導電性變大，氧化層厚度似乎對電性無多大影響。重複氧化對複晶矽的表面影響逐漸變大，因此也可使複晶矽氧化層導電性變大。電荷捕捉現象每一次測量都發生，必須藉其它方法予以減低才能提高元件之可靠度，電場大到足以使氧化層崩潰時，必定先從最易導通的點先導通，經過無數次連續的導通後氧化層才會崩潰。要得到更高品質的複晶矽氧化層，必須加上其它特別處理才行，例如加HCI 在O2 中，或退火等都能提高其品質，增大其良率。