Abstract
本論文主要是藉由不同的製程,針對LPCVD及PECVD製作的複晶矽膜,來探討製程的變化對電性的影響;同時也為本實驗室發展複晶矽薄膜電晶體的製程技術.高溫製程會改變元件的物理性質和材料特性,包括晶粒的大小,晶界及晶粒內部的缺陷,以及介電層和複晶矽的界面性質,觀察這些參數變化對電性的影響程度,將提供我們複晶矽薄膜電晶體性質的改善之道.
- Title
- 複晶矽薄膜電晶體的製作與檢測
- Translated title
- 複晶矽薄膜電晶體的製作與檢測
- Creators
- 王昭瑞 (Author)
- Contributors
- 甘炯耀 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English