Abstract
本論文致力於自旋傳輸記憶體中鈷鐵硼自由層阻尼係數之研究，並探討不同覆蓋層及退火處理對鈷鐵硼自由層磁性質與阻尼係數所造成之影響。除欲以降低阻尼係數來解決自旋穿隧電流過高的難題，更希望能分析出覆蓋層與鈷鐵硼自由層相變之間的關聯性。 我們藉由電子自旋共振儀所量得的不同外加場夾角下之鐵磁共振訊號並配合數值上的計算，進而獲得鐵磁材料的阻尼係數值。初步得到自旋幫浦效應以及介面混合是額外造成阻尼係數增加的原因之一。此外，我們利用振動樣品測磁力計(VSM)、磁光柯爾效應儀(MOKE)等來分析磁性質，並利用穿透式電子顯微鏡(TEM)、二次離子質譜儀(SIMS)來進行成分以及微結構分析。 最後，在雙氧化鎂阻絕層的結構中，我們調節上層氧化鎂厚度及退火處理溫度，來獲得相當低的阻尼係數，並歸納出上層覆蓋層對鈷鐵硼相變的引導作用對自由層的表現有莫大影響。