Abstract
以硫屬材料為主的相變化記憶體(Phase Change Memory, PRAM)，又稱OUM，由於其具有非揮發性，高聚集密度，高覆寫次數，低工作電壓等許多優點，為近幾年受到高度重視的記憶體元件。而其工作原理是利用硫屬材料相的變化來達成記憶體的特性。 本研究係探討成長為主之Ge- SbTe物系之結晶特性:如結晶溫度和結晶活化能等，和其元件特性。並和成核為主材料Ge2Sb2Te5比較。結果發現，Ge-Sb70Te30物系，其結晶活化能和結晶?度都比Ge2Sb2Te5來的小。從I-V量測結果來看，Ge-Sb70Te30物系比起Ge-Sb80Te20和Ge-Sb88Te12物系，較容易為記憶轉換。根據Jiang和Okuda的研究，Ge-Sb70Te30物系的結晶速度會比Ge2Sb2Te5快。因此未來當OUM遇到寫擦速度瓶頸時，Ge+Sb70Te30是很有機會去取代Ge2Sb2Te5變成新一代的記錄層。