Abstract
本研究是在範氏加速器中以2MeV H2+照射工廠退火處理的英高鎳600合金，表面照射劑量為0.02-2.0 dpa,用電化學的方法測量孔蝕參數及對蝕孔成長的分析，並配合開執中博士及李榮達所完成的質子輻射對英高鎳600合金微結構的變化”的研究結果，以探討質子輻射對英高鎳600合金在氯離子環境中孔蝕抗性的影響，並考慮硫代硫酸根離子的影響。 照射時析出物的溶解及輻射誘導擴散，使得合金元素的分布較為均勻，有助於孔蝕抗性的提升，而輻射使合金內空泡及差排的增加，卻有著相反的效果。0.02 dpa 的輻射劑量時，由於合金內空泡的數目及大小均小，而合金元素的均質分布明顯地改善英高鎳600合金的孔蝕抗性，但隨著劑量的增加，合金內的缺陷漸漸地超越了化學均勻性質的因素，而且劑量越高，孔蝕抗性變差的情況越是明顯。實驗中的2.0 dpa的輻射劑量有著最差的孔蝕抗性。而至於何種劑量開始對孔蝕抗性有明顯的轉變，則須視以上二個因素在環境中互相消長的情況來決定。 少量硫代酸根的添加有促進屭蝕的作用，而當〔S2O32-〕╱〔CR〕≧1時，則有明顯的抑制作用，但在200℃時，因硫代酸鈉的解離作用，使孔蝕電位及保護電位均向活性方向移動。