Abstract
本實驗分別使用質子射束和氘核射束探討粒子誘發X-射線(PIXE)的反應機制。實驗所產生的X-射線是利用ORTEC 出廠的SLP-10180 型偵測器測量，該偵測器對5.9keV X-射線的解析能力為180 eV。本實驗所採用薄靶有金和鉛兩種，靶厚度的測量是利用回向散射能譜(RBS) 的方法，金靶的厚度約為130 nm, 而鉛靶的厚度約為440 nm。因為入射粒子在靶內有能量損失，因此必須考慮粒子在靶內的有效能量，以粒子在靶中心的能量代替粒子入射到靶表面的能量。本實驗的重點在測量Lα X-射線和Le X- 射線的強度，並計算兩射線產生截面的比值。實驗中質子入射的能量範圍在0.5 MeV≒Ep≒1.5 MeV, 而氘核入射的能量範圍則在0.6 MeV≒Ed≒2.0 MeV內。為了瞭解氘核射束內H2 的含量，我們也利用回向散射能譜對射束的純度做分析。此外，空氣、靶室窗口對X-射線的吸收也在考慮之列，以修正實驗上所測Lα 與Le X- 射線的強度比值。Lα/Le強度比值的理論計算可分為兩部份：電子游離反應截面的理論計算採用考慮準直效應後的平面波玻恩近似模型(PWBA)；原子能階的空穴引起X-射線發射的機率，則採用考慮Coster-Kronig 移轉後的輻射躍遷模型。實驗結果除了和理論諸相符外，並與前人所測得的結果比較。本工作主要提供較低能量範圍內的一些數據，以進一步了解粒子誘發X-射線的理論基礎。