Abstract
面對Plackett和Burmanm於1946年提出的因子直交設計(簡稱PB設計)，其 具有的少數實驗次數及複雜交絡型態(complex aliasing relation) ，在 不重覆實驗的情況下，用傳統的實驗設計分析方法常會導致無法分析這類 的數據或得到受限的資訊。Daniel（1976）強調在主效應為可加法的假設 下，PB設計適用於無交互作用及效應稀疏（effect sparsity）的情形。 於是Hamada和Wu（1992）增加效應遺傳性（heredity）的假設，提出其一 套作法來考慮所有主效應及與其直交的二因子交互作用效應。接著，王丕 承和詹慧雯(1994)提出針對主效應及所有的二因子交互作用效應個別探討 的方法。本文在效應可加性、三因子以上交互作用效應是可忽略及效應稀 疏性的假設下，嘗試提出一個估計量來兼顧所有的主效應和二因子二次交 互作用效應。變異數分析無法分析Ln的設計，而半常態機率圖亦有其缺點 ，於是利用所提估計量，結合迴歸分析來選取顯著的效應及建立迴歸模式 。 並以Hunter et al.（ 1982， L12 ）和Henkin（ 1985，L18）的數據 來與Hamada和Wu及王丕承和詹慧雯所提方法作佐證。最後結合Deaton和 Massoud(1994)的實驗數據來改善超大型積體電路（ Ultra Large Scale Integration ）長閘層絕緣體（ gate dielectrics ）製程中快速高溫 矽氧化（ Rapid-Thermal Oxidation of Silicon ）方法的製程能力為 研究實例，希望能找出製程參數與氧化厚度及製程參數與氧化厚度均勻性 間的關係，並提出改善氧化厚度及氧化厚度均勻性的方法，可作為製程工 程師改善製程的參考，或是深入研究的依據。