Abstract
超大型積體電路的趨勢，使得積體元件愈做愈小，相對地氧化閘層就須愈做愈薄，一個好的薄氧化層必須是一、各點均勻二、厚度可掌握三、耐壓值高四、缺陷密度小五、表面電荷密度與介面狀態密度小六、可防止移動帶電離子的驅入。本篇論文主要在探討如何製作良好的薄氧化層，我們發現，爐溫在攝氏九百度時，通乾氧，將晶片緩緩推入，然後注入少許氯化氫氣體長氧化層，然後通入大量氮氣及少許氯化氫與乾氧退火，跟著改通氮氣，再緩緩將晶片拉出，這一套製程可獲得較佳之薄氧化層，而複晶閘之耐壓值最大，經過離子植入之金屬閘耐壓最小。