Abstract
本篇論文內容主要在探討GaAs/AlGaAs 超晶格的對稱變位的障結構(symmetry doublebarrier structure) ，非對稱變位能障結構(asymmetry double barrier structu-re) 及三位能障結構(three barrier structure) 的直流穩態特性曲線(Ⅰ-Ⅴcurve)及暫態反應特性(transient response behauior) 。論文中應用了轉換矩陣(Transfer Matrix Method)及wigner function method兩種方法來計算上述結構的特性。其中暫態反應是使用Wigner function method去計算。由於這兩種計算方法所牽涉的方程式十分複雜，必須應用數值方法來解。在本論文中的計算均借助臺大Cray Supercomputer求得。論文中針對上述結構的峰值電流╱谷值電流比(peak to Valley Ratio)簡稱PVR 及元件反應時間(transient time)做討論；同時，我們計算了元件暫態電流及電子濃度的變化。經過電腦數值運算，可以歸納出下列結論：就本文的結構而言，PVR 值最佳者為非對稱變位能障結構，然後是對稱變位能障結構，最差者為三位能障結構。就反時間快慢而言，最快者為對稱變位能障障結構，其次是非對稱變位能障結構，花費時間最長者為三位能障結構；其反應時間的數量級約在pico sec的範圍。#50008877.ABS#50008877.ABS