Abstract
現行的半導體製程中,蝕刻方式主要分為兩種,一為濕式蝕刻(wet etching),另一種則為乾式蝕刻(dry etching),然而兩者皆有其不足之處. 在濕式蝕刻法中,會有大量廢水廢液處理問題及底切現象(undercut);而乾 式蝕刻則因使用電漿來達到蝕刻的目的,造成電荷累積,影響元件電性.因 此本論文的重點,即在嘗試使用超(次)臨界水流體蝕刻矽氧化及光阻,以期 建立一高蝕刻率,無廢液處理及無電荷累積的新蝕刻方法.實驗結果證實, 對溫度壓力靜態蝕刻時間及動態蝕刻時間四個因子而言,溫度皆是影響蝕 刻效果最顯著的因子,由於此蝕刻作用為放熱反應,因此溫度增加可使蝕刻 速率顯著增加.此外,對矽氧化物而言,由XPS結果顯示,超(次)臨界水蝕刻 矽氧化物應為水解反應,並無其它副反應產生.對光阻而言,由XPS結果發 現,超(次)臨界水除了可有效去除掉光阻外,亦有氧化矽晶片的作用.再者, 由SEM結果顯示,此蝕刻方法並不會使表面微小粒子增加,而AFM結果則顯示 出,此蝕刻方法並不會使表面粗糙度有惡化的趨勢,驗證了超(次)臨界水蝕 刻矽氧化物及光阻的可行性.