Abstract
中文摘要 本論文嘗試利用超臨界二氧化碳流體，和半流動式裝置儀器， 製備聚環氧樹脂鍍膜，與擴散銅微粒至聚亞醯胺表層。論文兩部分，摘述如下： 第一部份： 改變溫度、壓力、靜置時間、共溶劑與高分子濃度等多種變因，取得鍍膜的平坦度及厚度的數據，供鍍膜的參考。最適化條件：使用丙酮共溶劑製備的表面粗糙度較好(R=0.324埃)；溫度較高(60℃)製備所得的粗糙度較平坦(R=14.052埃)；長靜置時間製備的粗糙度較優(120min，R=1.336埃)；壓力較高(4650psi)製備的厚度較厚；聚環氧樹脂高分子濃度對似乎不影響厚度，但會影響粗糙度。 第二部分： 以高純度bi-Diphenyl Nitrone Copper(II) complex銅微粒先趨物，利用超臨界二氧化碳流體，將銅先趨物擴散至聚亞醯胺與矽晶片接面上，藉由超臨界流體的壓力與靜置時間，可以將銅先趨物溶解後，再經由擴散，使之滲入聚亞醯胺粉狀膜上，可由光學顯微鏡可看出，聚亞醯胺表面上有銅微粒的生成。由二次離子質譜儀中可看得銅訊號，並且推測銅微粒可以擴散至聚亞醯胺粉末薄膜與矽晶片的接面上。