Abstract
碩士論文中文摘要 以往超臨界流體的應用多集中於萃取和合成方面，而最常被使用的流體是二氧化碳，對於超臨界流體的相關應用多集中於溶解度和相平衡方面等的研究。 本實驗所研究的超臨界流體為水，其臨界狀態的溫度為攝氏374.4度，臨界壓力為3208.2 psig。在如此高溫及高壓之下水展現強大的氧化能力，這正是本實驗研究的重點。 在半導體製程中，乾式蝕刻和濕式蝕刻為目前所最為常用的蝕刻製程但是各有其缺點所在，如：濕式蝕刻不但容易製造大量廢液問題，而且對微小元件尺寸不易控制；乾式蝕刻則有電荷累積傷害元件之虞。 我們利用超次臨界水氧化 ( SCWO ) 來蝕刻不同方向性的矽底材，如： <100><110><111> ；並討論溫度、壓力、動態時間、靜態時間等因子，對實驗操作的影響。並用一系列的儀器分析方法來監測蝕刻過後物性、化性和蝕刻厚度的變化，並藉此初步推斷SCWO反應的機制，所得到的初步結果如下 : 1. 次臨界水處理確可消弭矽底材表面原始的不平整度，以利後續的超臨界水處理及測定蝕刻效能。 2. 在流體方向180度時，超臨界水氧化蝕刻矽底材的深度為 ：<100> > <110> > <111>。 3. 以不同超臨界流體方向蝕刻矽<100>的條件下，以180度流體流向的蝕刻深度大於90度流體流向之矽底材。 4. 超臨界水氧化可免除既有蝕刻方式電荷累積及製造大量廢液的缺點，並藉著本實驗開發出一套超臨界水蝕刻矽底材的初步技術。