Abstract
本篇論文內容在討論以不同的材料, 不同的製程所成長的超薄氧化層電容, 在電漿製程中對於電漿傷害的免疫能力. 我們分別用氧氣及一氧化二氮的不同材料, 和傳統高溫爐管及快速昇溫加熱的不同製程, 分別對其做化學濕式蝕刻及電漿乾式蝕刻, 以比較其對於電漿傷害的免疫能力.實驗上, 我們在標準清洗晶圓後, 以快速昇溫加熱法在純氧及一氧化二氮中成長氧化層, 和傳統高溫爐管的一氧化二氮的氧化層後, 覆以複晶閘極及雜質摻雜, 分別以化學濕式蝕刻及電漿乾式蝕刻定義出電容. 而後研究比較其不同之特性.在量測上, 我們對電容做材料分析的結果發現, 一氧化二氮成長的氧化層在二氧化矽 /矽的界面上有豐富的氮原子堆積, 尤其以快速昇溫加熱所形成之氧化層, 有最多的氮原子堆積. 在電性量測方面, 我們發現以一氧化二氮做成的電容比純氧形成之電容有較佳的電性, 而以快速昇溫加熱法製造之電容又比傳統爐管者為佳. 在電漿製程方面, 電漿製程的確對氧化層電容造成傷害. 150 瓦之製程對氧化層的傷害比200 瓦者小的多. 且和濕式化學蝕刻者相去不遠.因此, 以快速昇溫加熱的一氧化二氮氧化層, 配合電漿蝕刻150 瓦的功率, 是較佳的蝕刻條件. 論文總共分做六章. 第一章對實驗目的作一概述; 第二章包含量測中用到之理論;第三章敘述電容的製造過程及各種量測的方法及原理; 第四章對於量得之數據作一全面的探討及分析;第五章做一總結; 第六章列出參考之文獻及出處.