Abstract
經由離子布值后的 P接面r 退火后，殘留的幅射操作會影響（減少）P 邊的載子濃度，砷和硼再度打入這個已經退火的接面以造成損傷，此損傷對P 邊的載子濃度又會受影響。由上面兩個結果，來檢驗高電流密度的砷離子，對矽晶或已植入低濃度硼的矽晶有退火效應，本實驗用米勒回饋儀器測量低濃度載子分布。
- Title
- 輻射損傷對載子濃度分布的影響及離子束引發重新結晶
- Translated title
- 輻射損傷對載子濃度分布的影響及離子束引發重新結晶
- Creators
- 王志賢 (Author)
- Contributors
- 楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English