Abstract
由於非晶矽膜於熱退火時將轉變為多晶形態,其晶粒大小將有所改變,因而對電性上有顯著的影響;但是對於在晶粒成長同時矽膜內微結構的改變,亦將影響到矽膜品質,如密度於內部結構變化時的改變,與矽膜厚度,粗糙度及孔洞(void)的變化之相關性,卻是無系統的研究,故而我們即探討此一系列的變化過程.對於微結構上之非晶至多晶態的變化,我們由XRD可知,至於厚度,粗糙度及孔洞上的變化,我們利用Alpha-step來檢測厚度的變化及粗糙度的改變於PECVD所鍍之矽膜,於熱退火前後的變化,對於所量得結果具有明顯的現象與相關性,此外我們尚利用橢圓偏光儀量測光學常數的改變,來推測膜內孔洞的消長.對於我們實驗結果顯示:矽膜於退火過程前後其厚度具有明顯差異,此可能與退火前後矽膜內部受氫之鍵結有關,而就粗糙度來說,對於不同非晶相轉變為多晶時有明顯變化,對於退火過程中孔洞變化並不十分明顯,可知此時孔洞於退火過程中,孔洞的影響並不很明顯.