Abstract
經過 BF ＋離子佈植後的矽晶片，在經過 1000 ℃退火後，使用穿透式電子顯微鏡 觀察，發覺有疊差式的半差排環出現，有些樣品則無。經過進一步的實驗後，發現 （ 001 ）方向的矽晶會產生此種缺陷，而（ 111 ）的則無此發現。更重要的是此 種缺陷之長成，主要是由於在退火的過程中，擴散爐雖然通□，但其中仍有殘餘的 氧氣。由於此些氧氣的存在而造成了缺陷的成長。 #2811450 #2811450
- Title
- 退火後之離子佈植矽晶體的微細結構變化
- Translated title
- 退火後之離子佈植矽晶體的微細結構變化
- Creators
- 伍育智 (Author)
- Contributors
- 陳力俊 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English