Abstract
本研究探討在不同退火制程下，金屬矽化物與砷化鎵的界面穩定性，在(100) 砷化鎵晶片上以雙電子槍蒸鍍不同元素及成分組成的薄膜后，利用X 光繞射分析，電子顯微鏡，歐杰成分縱深分析以及片電阻量測和I-V 特性曲盄研究CoSi/GaAs, CoSi /GaAs,NiSi / GaAs 三種接面系統在不同退火制程之下產生矽化物的微結構及相互擴散的情形。應用傳統管狀爐退火及快速退火兩種不同的退火方式。管狀爐退火在800 ℃時間為20分鐘, 而快速退火在900 ℃時間為20秒。對於二階段式退火，試片首先在500 ℃爐退火1 小時后再進行前述之高溫退火。管狀爐退火的試片經分析后發現有比快速退火處理試片更多的Ga或As向外擴散到矽化物膜表面。二階段式退火后，Ga和As向外擴散的情形比一階段式退火不顯著，而且金屬矽化物與砷化鎵的界面也比較平整。一階段式退炎處理后較多Ga和As向外擴散的原因，可能是由於金屬矽化物膜具有較小的晶粒。CoSi /n-GaAs的蕭基二極體的I-V 特性曲盄量測顯示，快速退火及二階段退火處理后的二極體有較佳的蕭基特性。在金屬矽化物沒有與砷化鎵反應的情錶下，Ga與As向外擴散的結果嚴重地影響了矽化物與砷化鎵的蕭基特性。