Abstract
矽晶經過砷離子佈植後，其被佈植層即呈非晶形。我們利用連續式二氧化碳雷射光的定態照射，使被佈植層退火。其非晶矽結晶再成長過程是經由固相磊晶方式完成，利用橢圓偏光儀（Ellipsometry），霍耳效應及片阻（Hall－effect and sheet－res-istivity），拉塞福反向散射（Rutherford backscattering） ，微分式片阻及霍耳效應（Differential sheet－resistivity and Hall－effect），展阻（Spreadingresistance）量測，以及穿透式電子顥微鏡（Transmission electron microscopy）等方法研究被退火層的特性。在實驗過程中發現二氧化碳雷射由矽晶片背面照光可達較佳的退火效果。雷射退火所達到的退火效果如后：對於低摻雜量砷佈植矽晶（１００KeV， ２×１０□□cm□□）可達１００％活化率，對於高摻雜量砷佈植矽晶（１００KeV ，１×１０□□cm□□）最大活化率為５３％，雷射退火基間砷在矽晶中的濃度分佈沒有明顯的擴散，雷射退火能活化砷濃度超越其平衡固態溶解量形成介穩濃度，穿透式電子顯微鏡的觀察顯示非晶形矽再結晶完美。經由背面照光之二氧化碳雷射退火的確能達到退火效果。在實驗的結果中同時也顥示電射退火的效果化傳統高溫爐退火，以及快速熱退火的效果更好。