Abstract
隨著科技不斷進步，半導體製程技術由微米等級不斷的進步至奈米的層級，晶圓在製造的過程中由於可能因為生產線上等待過久而造成晶圓表面的製程缺陷（Defect），會根據製程與產品的需求，在特定製程完成加工之後，制定一段時間來做為等候時間的限制（Queue Time Limit）以維持產品良率，因應製程縮微的需求，已有多數的產品將等候時間限制由過去的對單一製程區間進行等候時間限制的設定，制定出連續等候時間限制（Continue Queue Time Limit）；在連續等候時間限制的生產條件下，使超出等候時間限制的機率加大導致影響產品的良率與投料的決策，更甚至影響到瓶頸的產出。 半導體晶圓製造的程序中後段金屬蝕刻之製程區間具有「連續等候時間限制」這個重要特性，本研究乃針對晶圓製造後段金屬蝕刻製程區間討論其特性對生產之影響，並以Look-ahead之未來剩餘製程加工時間為基礎，提出於等候時間限制與交期時間限制的考量下交期雙參數模式之動態派工法則，並以限制理論(Theory of Constraints，TOC)的觀念之限制驅導式排程法 (Drum-Buffer-Rope, DBR)建立投料法則，目的在預防晶圓在加工過程中，系統因WIP水位控制不佳且超過等候時間限制所造成的重工或報廢，除了能節省生產成本，預期能對超過等候時間比率（Over Queue Time Ratio）及超過訂單達交比率（Over Delivery Ratio）有助益。 本研究以eM-Plant模擬軟體建構模擬模式，實驗設計在三種產品來到率與三種等候時間限制之鬆弛度的環境因子設定下，探討不同的派工法則與投料控制對於各項績效指標之表現差異。由模擬結果得知，本研究所提出之參數模式派工法則搭配投料控制方法，在具有等候時間限制下，可有效的提升績效指標之表現。 關鍵字：非批次加工、等候時間限制、連續等候時間限制、投料法則