Abstract
此篇論文乃是以倪祖偉教授所發展之Surface Irregularity－enhanced Subbant Resonance of Semicontuctors（Ⅰ）－General Theory來研究在MOS 系統中，在氧化層之柵狀結構所感生之次能帶之共振。我們對於各種不同能量垂直入射之光，在溫度為１５K 時之吸收率作了理論分析，顯示此柵狀結構可以有效地散射入射光，使其產生一垂直於界面之電場分量，此電場被在Si表面之電子所吸收，使其產生次能帶之躍遷，此結果與Bathe 等人之實驗結果相符合。吾人並對柵狀結構之位置與吸收率之關係作了分析。