Abstract
鑑於過渡金屬矽化物，在超大型積體電路、及光電元件上的應用日漸廣泛，但是在基礎的光學性質上，卻缺少足夠多的研究及資料可供使用，所以我們首先地以光譜式橢圓偏光儀，量測了V，Zr，CO，Cr，Mo，Pt 幾種金屬元素，及它們的矽化物的複數折射率Ｎ，並以穿透式電子顯微鏡皂點狀繞射及環形亮圈，來確定金屬矽化物的晶相及結構，並以亮視野或暗視野像，來觀察矽化物的表面形態。這和先前發表的Au，Ti，Ni，Pd等系統，是一系列的工作。實驗的結果發現，上列的六種金屬，在以快速熱退火或傳統熱電爐，作不同溫度時間的熱處理之後，都形成了小顆粒結晶或大片磊晶的矽化物。它們的ｎ值和ｋ值（Ｎ＝ｎ－ｉｋ），在形成矽化物後，會有值變小及ｎ和ｋ差距變小的特徵。在論文的「討論與結論」中，除了對金屬矽化物的光學性質作了一點研究之外，也定性地解釋了ｎ和ｋ差距變小的原因，是因為矽化物中的導電電荷密度減少了。這和過渡金屬在形成矽化物之後，電阻率升高的現象吻合。