Abstract
本研究針對一維陣列發光模式之邊射型雷射進行改善。為增加光傳輸量及使其發射光束易於耦合進入光纖中，乃設計一載具達成上述之要求。而本研究之目標，即設計一符合二維陣列發光模式及具垂直向上發射光束之載具。文中提出三種達成此目的之方法，經評估其製程及光能量損耗上之優劣後，決定以錫鉛合金回銲固化特性達到控制雷射二極體之特殊傾斜角目標，且研究中所使用之模擬軟體為Surface Evolver。此軟體乃以最小能量法進行模擬分析，在簡述其理論後，為了解其所得結果之精確性及可信度，乃以實驗比對模擬所得之結果，並分析其間之差異，而後再以相關文獻以資佐證。 研究中所提供控制雷射二極體傾斜角為十字外型之墊片，另一會對其傾斜結果造成影響之因素為錫鉛合金之體積。為觀察其回銲外型及趨勢，乃先利用無加置雷射二極體之模組進行模擬，探討其因受墊片外型及錫鉛合金體積所產生之影響。之後再以加置雷射二極體之模型模擬，在所給定的邊界條件下，分析回銲時雷射二極體之自由度，並討論其於各不同之變數中，其分別單獨造成傾斜角之影響，最後求得所需之上揚發射角19.48度。 對於模擬進行時所使用之網格密度是否足夠，也在分析中做一討論。選擇一適當之網格密度，將節省許多求解精確結果過程所花費的時間。由於雷射光束最後耦合進入光纖，故其對位精準度所造成的光功率損失亦相當重要，最後即以此載具所造成之對位偏差來分析其於非理想狀態時所產生的功率影響。