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邊緣終結保護結構-反摻雜接面終結延伸於高電壓元件之研發
Thesis

邊緣終結保護結構-反摻雜接面終結延伸於高電壓元件之研發

徐華志
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2014

Abstract

功率元件 邊緣終結保護結構 碳化矽 二極體 power device edge termination SiC Diode
因申請專利緣故,資料延後公開

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