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Thesis
邊緣終結保護結構-反摻雜接面終結延伸於高電壓元件之研發
徐華志
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2014
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Abstract
功率元件
邊緣終結保護結構
碳化矽
二極體
power device
edge termination
SiC
Diode
因申請專利緣故,資料延後公開
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1
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Title
邊緣終結保護結構-反摻雜接面終結延伸於高電壓元件之研發
Translated title
邊緣終結保護結構-反摻雜接面終結延伸於高電壓元件之研發
Creators
徐華志
Contributors
黃智方 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Thesis
Date published
2015
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