Abstract
本論文由理論觀點研究三五族化合物半導體量子井結構在垂直電場作用下之光學特性。我們以多帶等效質量法(multband effective mass theory)來計算因帶混合效應(ba-nd mixing dffect) 所造成的共價帶之能結構非拋物線化特性。量子井結構中激子鍵結能(exciton binding energy)則利用變分法(variation method)求得。而光吸收係數，折射率變化，自發放率與增益則以考慮系統具有帶內鬆弛(intraband relaxati-on) 現象之密度矩陣方程式(density matrix equation) 導出。我們發現考慮帶混合效應所求得之激子鍵結能隨電場強度之關係與一般模型之結果有很大差異。而激子能量隨電場變化之關係則符合文獻上之實驗結果。其不同偏極化之能帶間躍遷特性有相當顯著差異。所得之吸收光譜，自發放射率及增益頻譜(gainsp-ctra) 顯示電場效應會導致其頻譜有紅位移(red shift) 現象。且其尖端值會隨電場增加而減少，故可利用此效應來設計電光調整制器式脈衝式發光元件。計算結果亦顯示在位井中之折射率會減小，此將增加量子井雷射之光損耗。#50008873.abs#50008873.abs