Abstract
最近幾年來，由於一些GaAs/AlGaAs 量子井元件已經被成功地發展制造出來，而有的需要在低溫下使用，如：10微米紅外線調變器和偵測器和偵測器, 為了讓這些元件使用, 需要做歐姆接觸, 所以我們想探討低溫下歐姆接觸的行為, 在300k到20k 之間的溫度, 測量( 金、鎳、鍺)/n-型砷化鎵和( 金、鈀、鍺)/n-型砷化鎵的電性。我們發現（金、鎳、鍺）/n- 型砷化鎵的特性接觸電阻值，隨著溫度下降而有增加的趨勢；特性接觸電阻值在300k時為4.06×10 •cm, 到20k 時變化為6×10 •cm；同樣的，在（金、鈀、鍺）/ n-砷化鎵的特性接觸電陰值，由300k時為3.1×10 •cm 到20k 時變化為7×10 •cm ，我們提出一個歐姆接觸模式來解釋這種低溫時特性接觸電阻值上升的現象。另外，我們發現晶粒大小也會影響特性接觸電阻值，在n-型砷化鎵介面上的金屬膜，在退火之后，若能形成較小的晶粒，則可具有較低的接觸電阻值，我們提出一個變相歐姆接觸機構，可以用來解釋這一結果。在考慮理論計算特性接觸電阻值時，由於金屬膜在退火之后，其表面電阻值不是如假設的為零，因此，用理論計算值來解釋實驗測量值時，必須考慮這一項因素所造成的效應，有金屬膜表面電阻值的（金、鎳、鍺）/n- 型感冒化鎵特性接觸電阻值比除去金屬膜表面電阻值的高出10倍左右，因此理論計算值應考慮此一因素。