Abstract
本文之主旨在研究生長在矽晶片上TiSi□簿膜之基本物理性質，包括其電子傳輸之物理機制，光學性質，輻射傷害，並且就矽化物摻雜技衡在超大型積體電路上之應用預作理論模擬及實驗分析。材料之晶相與晶向是以電子顯微鏡來鑑定，電性量測是以van der Pauw的方法作分析，針對外加電場、磁場和變化溫度，改變簿膜厚度的情況作研究分析，並且估算關於TiSi□的物理參數和載子濃度、德拜溫度、移動率等。光學特性是以橢圓偏光儀和絕對反射率光譜儀作量測，並以Drude model 理論和量子力學推導其光學常數。最後並以蒙地卡羅的方法用電腦來模擬離子佈植過程，計算其摻雜與輻射傷害分佈，並且利用此一摻雜技術來製造淺接面TiSi□╱N□P二極體。