Abstract
在本論文中，我們研究了NiSi□ACoSi□和CrSi□ 三種矽化物薄膜和砷化鎵基板間經高溫退火後的界面隱定性及其相對應的電性，同時以共同蒸鍍與層狀蒸鍍製備矽化薄膜，比較其矽化物形成溫度與電性差異。X 光繞射顯示在溫度低於８５０℃半個小時的退火過程，這些矽化物對砷化鎵是穩定的而不與砷化鎵反應，在鈷矽化物薄膜中CoSi和CoSi在我們所探討的溫度範圍內共同存在於砷化鎵上，當退火的溫度愈高，CoSi的繞射強度愈強。以微電子探討針之X 光波長分散析儀作元素映像分析發現元素均勻分佈，以二次電子像觀察表面形態，在退火溫度達９０００℃則顯示不平整的表面。以四點探針來量測各種矽化物的電阻率，發現矽化物在砷化鎵基板上的電阻率大於在以往發表之矽化物在矽基板上的電阻率鎳矽化物的電阻率隨退火溫度升高而降低，鈷矽化物的電阻率隨退火溫度升高降低，但是退火溫度高於７５０℃，電阻率變大，鉻矽化物的電阻率隨退火溫度升高而升高，而退火溫度高於６５０℃後，電阻率則變小。共同蒸鍍製備之薄膜比層狀蒸鍍製備之薄膜在較低溫形成所需之矽化物，電流－電壓特性曲線顯現出共同蒸鍍的鎳矽化物和鈷矽化物在砷化鎵上經高溫退後有穩定的整流性質。穿透式電子顯微鏡和歐傑電子能譜儀分析顯示以層狀蒸鍍之矽化物，雖然退火溫度高達８５０℃，仍有些矽殘存在矽化物和砷化鎵層面，並有矽擴散進入砷化鎵內，為迼成電性變差的原因。