Abstract
利用穿透式電子顯微鏡來研究在矽晶片小尺寸氧化物開口上鎳及鈷的雙矽化物的磊晶成長。由電子鎗蒸鍍的鎳薄膜與小尺寸氧化物開口的矽反應生成的NiSi ，發現有尺寸的效應，在５５０℃時即可促成NiSi 的磊晶成長在小於等於３．５μm 的氧化物窗口。其利用氮爐及快速退火熱處理，均可得到類似的結果。＊蒸鍍膜的方法，矽晶的表面清潔與退火的氣氛及方式均會影響到磊晶成長的差異，亦經討論。＊其結果從應力及自由能觀點去討論之。CoSi 的磊晶矽化物生成在未經氧化物蝕彫的矽晶片上，與矽基層成１８０°的方位關係，未具有線性的缺陷，可能是由於蒸鍍前的表面清潔方法不同所引起。１００％CoSi 的磊晶成長對於表面的清潔與退火的時間與溫度十分敏感。對CoSi的磊晶矽化物生成在氧化物窗口的形態，發現了極大的尺寸效應。其具有十分規則的六角形的形態，它的邊是平行＜１１０＞矽晶片的方向，在線性的氧物物開口亦發現有類似的結果。無論其線性氧化物開口是沿著＜１１０＞或＜１１２＞矽的方向，其產生刻面（facet ）的邊都是沿著＜１１０＞矽的方向，這些結果均表面能量和應力的效應討論之。