Abstract
本論文分為兩部分, 包括 PMOS 加馬射線劑量計研究,金氧半電晶體輻射效應機制研究。在PMOS輻射劑量計的研究中, 金氧半電晶體作為劑量計的優點為靈敏度高,幾乎能將吸收到的輻射能量反映在其性質變化上面.選用 PMOS之理由,PMOS之靈敏度優於NMOS,鑑別率較高。 並進一步在金氧半電晶體輻射效應機制的研究上,分析金氧半電晶體的氧化層陷阱電荷、 介面陷阱電荷在輻射照射中行為之改變,及對起始電壓之影響。也比較PMOS 與NMOS之異同,由實驗驗證PMOS的氧化層陷阱電荷與介面陷阱電荷與仇對VT的影響是相加效應,而NMOS則是相減。