Abstract
由於金氧半與快閃記憶體元件等，其工作原理皆是倚賴熱載子的傳輸來達成目的，因為熱載子會對元件造成很大的傷害，為了能夠有效的量測評估熱載子損害，我們根據電荷汲引技術發展一套直接萃取氧化層電荷和界面陷阱的側向分佈。由於此方法不需要複雜的數值運算，已經成為現在研究熱載子傷害最好的測量工具之一。另外也針對氧化層補陷的電荷有著不同極性考量，研發出改良式的電荷汲引電流技術，用來量測氧化層負電荷的分佈。也以不同的量測方式，來分別對所得到的結果做驗證。除了熱載子效應之外，輻射傷害也是個很重要的議題，針對輻射所引發的不飽合最大電荷汲引電流，在成功的抑制下，也增加電荷汲引技術的效能，使其能運用的範圍更加廣泛。隨著元件的縮小化，試著改變電荷汲引量測方式，並且以施加電應力來討論當深次微米元件遭受熱載子損害時的傷害分佈情形。在論文最後，我們選取金氧半電晶體(MOSFET)，來進行輻射總劑量測試以及低劑量率測試，作為太空元件抗輻射的評估。