Abstract
本實驗旨在利用輻射照射產生新的點缺陷，藉以提升釔鋇銅氧超導體之超導電性。以in－situ方式量測溫度 20K時Y1Ba2Cu3O7－x超導薄膜在2MeV 質子束照射下之超導電性影響；並以 X光繞射分析儀以及穿透式電子顯微鏡分析超導薄膜在照射前後之顯微結構變化。結果顯示照射低劑量時約在2.8×10-6dpa時有最大臨界電流密度，2.99×10-4 A/cm2，約提昇5%，臨界溫度則無明顯變化。X光繞射分析顯示晶格常數隨輻射劑量而增大且有非晶化傾向在0.01dpa發生orthorhombic－tetragonal轉換。 根據釘扎理論，由穿透式電子顯微鏡觀察結果，輻射產生之均勻分佈點缺陷及缺陷團，成為磁通釘扎中心，可以有效提昇超導之臨界電流密度，缺陷團的大小的2?6nm。