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釔鋇銅氧與鉛之間c軸方向穿隧界面之製程與研究
Thesis

釔鋇銅氧與鉛之間c軸方向穿隧界面之製程與研究

潘治宇
Masters, 國立清華大學, 物理系
1995

Abstract

釔鋇銅氧 c軸方向准粒子穿隧界面 YBa2Cu3O7-delta c-axis quasi-particle tunnel junction
我們在90度離軸高頻磁濺鍍(90 degree off-axis magnetron sputtering)方法所成長的YBCO薄膜表面上,在不破壞真空的情況下直接濺 鍍Ag,利用不同的鍍Ag厚度,包括 0sec(即純的YBCO),10sec,20sec, 30sec, 3min,觀察不同之YBCO表面行為,特別是製作成YBCO/Insulator( Ag buffered)/Pb(SIS')元件,觀察並研究其准粒子穿隧現象,而此一穿隧 現象主要是發生在YBCO的c軸方向上。

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