Abstract
本實驗主要在研究釔- 鋇- 銅氧化物及在其中添加第二相化合物試片之高溫( 室溫-900℃) 電性行為, 對純YBa Cu O 而言,830℃燒結, 沒有退火, 或在700℃,流通氧氣下退火6 小時及12小時之試片其中皆產生許多雜相, 且其高溫電性呈現半導性。而在900℃ 燒結,700℃氧中熱處理12小時之試片呈現較純YBa Cu O 相, 而在高溫電性測量時其在四百多度電阻上昇加快, 據信是因釋氧所引起。故退火時間之長短對純YBaCu O 相之生成并沒有太大的影響, 只有提高燒結溫度能促使YBa Cu O 相之生成。而在YBa Cu O 中添加氧化銅, 二氧化鋇銅會破壞原YBa Cu O 金屬性而呈在一轉換溫度前為半導性, 轉換溫度之后卻又有電阻上昇現象。其真正的導電機械尚不十分明了, 不過必定和第二相原子的介入有關。而添加少量氧化鉍試片亦同樣有類似的性質, 但在添加多量氧化鉍時其會與YBa Cu O 相反應產生新相, 而新相在高溫電性測量時呈現半導性。若將添加氧化銅的試片在真空中燒結, 不同時間純氧壓下退火, 或是純氧中燒結, 不同時間真空中退火, 試片表面皆有綠色相產生, 經X 光繞射分析發現其為Y BaCuO 相, 且室溫電阻高達數萬歐姆, 但經高溫測量后其電阻降至數千或數百歐姆, 且表面綠色相消失, 顯示Y BaCuO 在真空或氧壓不足情況下有優先生成的趨勢。而在YBa Cu O 中添加第二相亦有類似的情形, 純YBa Cu O 在八百多度前電阻變化不大, 但在820℃ 時電阻突然上昇, 此性質乃因YBa Cu O 在此溫度時有較劇烈的釋氧反應。但添加第二相時亦會破壞原有YBa Cu O 電性行為且會增加試片電阻, 若試片電阻太大則會遮掩YBa Cu O 突然釋氧所造成電阻上昇。同樣的, 添加氧化鉍會和YBa Cu O 反應而產生新相, 顯示氧化鉍與釔- 鋇- 銅- 氧系間有極高的反應性存在。