Abstract
在人們不斷地追求新超導及了解超導機制, 同時也在尋找適當的緩衝層,以為多層超導薄膜之研發.而一個適當的緩衝層必須有良好的表面結構,晶格常數須與薄膜匹配且無互相擴散的問題, 如此不僅獲得好且更高質的超導薄膜也能製淂品質更好的精密元件.我們成功地以90度離軸高頻濺鍍方式在鋁酸鑭100)基板成長c方向的鑭鍶鈷氧薄膜,具有四方晶係結構, 晶格常數a=3.78埃,c=12.44埃.表面是相當平整,粗糙度少於30度 . 在鈦酸鍶基板即使攝氏溫度850度仍存在其它結晶面,表面出現條紋及長方形結晶.而釔鍶銅鉬氧在800度有較好的 123結構,但仍有雜相. 這兩種薄膜的電阻率隨溫度的下降而上升,呈現半導體行為.至於多層膜釔鋇銅氧/ 鑭鍶鈷氧有很好的C 軸向上結構,臨界溫度82K,轉變溫區5-6 K, 臨界電流密度10^5A/cm^2. 它作為緩衝層還必須努力尋找其它變因來改善.本文只是來研究與找出釔鋇銅氧與鑭鍶鈷氧的成長條件, 並研究多層膜的特性及討論它們作為緩衝層的可能 .在這些方面的探討上, 本內容共分四章. 第二章簡介濺鍍原及其發展, 第二節介紹本實驗濺鍍系統, 第三節則是關於薄膜的成長過程及其條件, 再來即是介紹相關的分析儀器. 第三章則是實驗結果與討論, 第一節是釔鍶銅鉬氧的表面與電性的現象與討論, 第二節及第三節則是討論鑭鍶鈷氧的基板溫度, 算出它的晶格常數, 討論表面, 組成及電性的結果, 探討它作為緩衝層的可能. 第四章則做一個總結.