Abstract
本研究系應用穿透式電子顯微鏡從橫截面來觀察超高真空電子槍蒸鍍釩在矽晶上的界面反應情形。在本論文中的研究大致分為兩部分：（一）釩與矽晶界面非晶質夾層的形成與成長，（二）釩矽化物的生成與成長。結果在釩與矽晶的界面發現非晶質夾層的生成，而其成長行為起初是厚度隨進間的增加呈線性增加，當厚度超過臨界厚度(critical thickess) 時，成長速率逐漸變緩，而到達最大厚度，最后將非晶質夾層的成長厚度與退火時間作圖所得的誤差小於厚度的平方對時間的圖形，所以成長厚度與退火時間成正比，而根據成長動力學，非晶質夾層的成長應為界面反應控制(interface reaction control)，求得其活化能在(001)Si, 及(111)Si 分別為0.9±0.3eV, 及1.2±0.3eV。在超高真空電子槍蒸鍍，釩在(001)Si 及(111)Si 上，經由較高溫的退火得到第一形成相均為VSi ，而釩矽化物的成長厚度與退火時間呈一次方正化，所以為界面反應控制，其活化能在(001) 及(111)Si 分別為2.3±0.2eV及3.1±0.2eV，在(111)Si 的活化能明顯是高於(001)Si ，所以基板(substrate) 的方向對釩矽化物的成長動力會有影響。在傳統電子槍蒸鍍(Non-UHV e-beam deposition), 釩在(001)Si 上，其釩矽化物的成長厚度與時間亦為線性關系，所以為界面反應控制，求得其活化能為1.9±0.2eV。