Abstract
金屬錯合物之電子性質乃受金屬離子周遭環境影響，對一個含有四芽配位基（如Salen） 的錯合物而言，有二種方式可修飾其電子結構，其一是在四芽配位基上以推電子或拉電子基來做取代，其二則是設法在第六配位形成另一配位鍵結（例如用強鹼的溶劑予以配位）。本論文首先製備一系列VO（５－XSalen）錯合物（X 為－OH，－OCH□，－H，－Br，－Cl，－NO□）先把VO（Salen） 溶於多種溶劑，測得EPR 及電子光譜。結果發現溶參數Z，E 與UV數據有良好的相關性。若將液態和玻璃態的EPR 光譜數據與UV數據結合，則可決定出錯合物分子軌域中dx□－y□，（dxz，dyz） 軌域之係數，其中dx□－y□ 之軌域係數幾乎是常數，但（dxz，dyz）之係數則與溶劑參數Ｚ及ＥT 有一特殊關係；此外，本論文也發現VO（５－X-Salen） 之電子轉移峰的吸收位置與Hamme-tt參數有一良好的線性關係，並詳細討論苯環上的取代基對IR振動吸收之影響。