Abstract
摘要非導體表面金屬化的技術，針對印刷電路板工業而言，可分為無電鍍(Autocatalytic Electroless Plating)與直接電鍍(Direct Plating)，前者的反應機制，乃利用催化金屬(如鈀、鉑、銀等)促使還原劑在非導體表面吸附與分解，並引發金屬還原於非導體表面；後者則可分為二項，其一為降低非導體的表面電阻，例如碳/石墨或導電高分子系統，其二是利用化學反應的橋聯配位方式，使得電子傳遞更為順利，因此可以進行直接電鍍，例如錫鈀膠體系統。本研究以錫鈀膠體製程中的硫化程序為出發點，利用高分子鈀膠體經過硫化處理而無明顯速率促進的結果，確定硫化架橋作用的發揮必須伴隨〝錫〞的存在，因此證實錫具有助催化作用，會在錫鈀合金狀態中改變電子組態，使硫化後的電子傳遞速率更快。在促進程序的應用方面，發現乾燥氧化的方式會明顯促進直接電鍍速率，因此以實驗分析的方式，將乾燥氧化的操作條件定為高溫乾燥(75℃，2 min)。經過高溫乾燥後的電鍍速率促進能力，錫鈀膠體製程約為2~4倍，而高分子鈀膠體製程比標準程序快約10倍，由於錫鈀膠體中的錫會因高溫乾燥而氧化成阻礙電子傳遞的二氧化錫(SnO2)，因此這兩種鈀膠體製程才產生不同的速率促進結果。另一方面，高溫乾燥的促進作用，經過實驗證實並非是導電度傳導機制所影響，而藉由ESCA判定原子氧化態的分析結果，瞭解高溫乾燥處理所產生的化學吸附氧化鈀(PdsOc)是速率促進的主因，因此推論PdsOc中的氧也是利用類似離子架橋的方式傳遞電子，才會達到速率促進的效果，進一步更利用脈衝電鍍法，量測因高溫乾燥處理所產生靜止電位的偏移並再次證實高溫乾燥的速率促進能力。