Abstract
本研究係針對鈀金屬薄膜在經離子佈植與未經離子佈植的矽單晶基片上經退火處理後的界面反應情形做情形做詳細探討，材料分析的方法係利用平面式和橫截面式電子影微鏡觀察以及四點探針電阻量測。在佈植低能量（４５kev ）的氟化硼離子（BF ＋）矽晶片中，我們發現當鈀矽化物成長到逼近或者越過原始的結晶與非結晶界面時，在矽晶片中的末端缺陷就完全被消除或者密度有明顯降低，然而，在經較高能量（１１０ kev）佈植的試片中，鈀矽化物的成長對末端缺陷的消除並無明顯的效應。在佈植砷離子的（００１）矽晶片，當鈀矽化物成長逼近原始的結晶與非結晶界面時，末端缺陷的密度有明顯降低。而且，在再結晶的區域內有雙晶的缺陷產生，這與無鈀矽化物覆蓋的砷離子佈植試片中所存在於再結晶區域內的差排環缺陷有所不同。同時，我們發現有氟化硼離子（BF ＋）或者有砷離子（As＋）的存在並不會影響鈀矽化物的生成順序及生成溫度。