Abstract
鈀薄膜在物理與表面化學方面應用性都十分廣泛。舉凡氫氣感應器、磁光記憶媒體、紅外線感光器、半導體業的連接材料到觸媒、水煤氣反應的改良等等都可說是鈀薄膜應用。 基於以上理由，我們合成以下四個不同系列的鈀錯合物：Pd(CO(CF3)2CH2C(CH3)=NR)2 (4a~4d)、Pd(CO(CF3)CHC(CH3)=NR)2 (5a~5e)、Pd(allyl)(CO(CF3)2CH2C(CH3)=NR) (6a~6e)、Pd(allyl) (CO(CF3)2CH2N(CH3)2) (7a) 加以分析其性質，從中選擇取代基為C2H4OMe的4d與5e兩個進行鈀金屬的化學氣相沉積實驗。 在鍍膜實驗方面，我們選用簡單的熱壁式反應器進行薄膜鍍製，並改變載流氣體 ( O2、H2、Ar ) 觀察鍍膜的現象。其中在氧氣條件下發現兩種前驅物均可得到高純度 (96%以上) 的薄膜。足見這兩種鈀錯合物擁有絕佳的前驅物條件。