Abstract
本論文是在超高真空的環境下，利用高解析度的同步輻射光源，來探討鈦矽化合物在乾淨的Si(100)上之各種能譜研究，包括在室溫下鈦矽化合物之初期成長過程，並研究在不同的溫度下鈦矽化合物之成長，以了解其成長溫度對各相形成之影響。在室溫下當乾淨的Si(100)鍍上鈦原子後，其表面會產生反應，造成Si2p能譜中表面訊號的消失，並且使得波峰的偏移，在表面上形成非晶相鈦矽化合物，此非晶相鈦矽化合物含有2-3種不同的組成。此外我們並在極厚的鈦膜上進行不同溫度之退火，發現TiSi2(C49)之相變會發生在400℃~500℃間，而當退火溫度達600℃以上時因高溫而使鈦矽間的鍵結不強之鈦原子離開，並在此時發生TiSi2(C54)之相變。當蒸鍍鈦於加熱400℃的Si(100) 2×1上面，此時出現了二種鈦矽化物，其中一種已知為晶相的鈦矽化合物C49 TiSi2。另外當蒸鍍鈦於加熱620℃的Si(100) 2×1上面，也出現了二種鈦矽化合物，此兩種鈦矽化合物分別是兩種晶相的C49 TiSi2及C54 TiSi2，不論蒸鍍於400℃或620℃的基板，其鈦矽化合物的成長皆會存在一臨界狀態。