Abstract
鈦矽化物電阻抗最低，近來在發展超天型積體電路中極受重視，磊晶矽化物則具低接觸阻抗，低應力及高溫穩定性等優點，根據以往文獻之報導推測鈦矽化物有生長磊晶之潛力。本實驗以電子鎗蒸著法，超高真空熱處理爐（可加至1200℃）等設備製備試片，以穿透式電子顯微式電子顯微鏡，X 光繞射儀、四點式探針量電阻，拉塞的背向散射能譜、歐傑電子能譜等為分析儀器，發現結果列后：?磊晶方位關係：?C55TiSi2[100]TiSi211[111]Si,(004)TiSi2 11(022)Si,(022)TiSi11(002)Si 及(022)TiSi2 11(202)Si?C54TiSi2[001]TiSi211[111]Si,(400)TiSi2 11(022)TiSi,(020)TiSi11(211)Si?C49TiSi2[130]TiSi211[111]Si,(111)TiSi2 (010)TiSi2 11(001)Si(002)TiSi2 11 (220)Si [310]TiSi2 11[112]Si1(202)Si?最小電阻值為138μΩ-cm。?多結構(polyrype) 發現在矽化物長在矽上時發生。