Abstract
本論文研究是藉著穿透式電子顯微鏡的技術，來探討鈦與離子佈值後單晶矽間的界面反應。離子佈值後的晶片，在經過溫的退火會有殘餘缺陷出現，例如差排環、V 型差排等等。（１）由於矽化界面反應所造成的體積收縮，使得V 型差排不易向表面生長，而維持在原來是非晶與單晶的界面上。（２）大量的空孔會伴隨著鈦矽化的過程產生，而使得差排環縮小。（３）離子佈值的雜質，會延遲鈦矽化物的生成。結果在６００℃仍有Ｔi5Ｓi3的存在。這些雜質也使二矽化鈦的薄膜易形成不連續。（４）對於（１１１）矽而言，由於B 式磊晶的晶格差較小，使得B 式的磊晶成長較為穩定，不受雜質影響。