Abstract
本論文主要研究鈦薄膜在氧化矽晶片上的反應。我們也研究鉬在矽晶片上的反應。結果顯示：Ti-SiO2-Si系統在600℃ 以上呈TiOx╱Ti5Si3╱SiO2╱Si層狀結構。且Ti5Si3的反應活化能為1.8ev±0.2ev°該系統在1000℃以上退火，表面有同心凹圈出現，我們嘗試提出一個模型來解釋它。Mo-Si 系統在各溫度下退火，皆無明顯之矽化物生成，推測可能是鉬矽間的附著力不好所造成。
- Title
- 鈦薄膜在氧化矽晶片上的固態反應
- Translated title
- 鈦薄膜在氧化矽晶片上的固態反應
- Creators
- 劉瑞祥 (Author)
- Contributors
- 馬哲申劉遠中 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English