Abstract
本文研究重點在於探討制程參數( 組成、燒結溫度、燒結時間 )對鈦酸鉛陶瓷之燒結性及電阻正溫度系數(PTCR)特性之影響, 其結論如下:1.Pbo 或TiO 微量添加, 可增加燒結性(?90%T.D.) 其晶粒大小約1?3μm;亦可藉PMN 添加得到高密度試片(?95%T.D.),晶粒大小并無隨PMN 添加而有明顯影響, 約3μm。2.AST 添加, 可使晶粒成長超過10μm,試片密度并未因大晶粒而變差; 在1100℃與1150℃間有明顯晶粒成長現象。1100℃────G＜3μm 小晶粒＞1150℃────G＞10μm大晶粒3.藉AST 與Nb 添加, 可使試片半導化; 當Nb 施體濃度在1.0?1.25mole%有最低室溫電阻, 在此區域試片具有PTCR(Tc=480℃)。4.當AST 量超過5mole%, 室溫電阻會隨AST 添加量增加而增加, 造成最低室溫電阻所需Nb 施體濃度有逐漸增加之趨勢。若室溫電阻升高, 則PTCR特性隨著降低。5.當燒結時間過長, 由於造成鉛損失室溫電阻因而上升; 超過2hrs時, 試片已無PTCR特性。