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鈦酸鍶晶界障層電容--次燒成研究
Thesis

鈦酸鍶晶界障層電容--次燒成研究

胡志良
Masters, National Tsing Hua University
1986

Abstract

鈦酸鍶次燒成釔晶界障層電容燒結表面觀測電性測量氧化釔碳酸釔 YTTRIUMSINTERING-SURFACE OBSERVEYTTRIUM-CARBONATE
在鈦酸鍶中摻雜0•6?2•0mo %的釔,首先,調整鍶與鈦的含量,並經由不同之摻雜過程,最後選定在1400℃、1450℃及1500℃在空氣中燒結15小時。希望藉由三價釔摻雜的影響,經一次燒結即形成高介電性的晶界障層電容。燒結後試片經由掃瞄式電子顯微鏡的燒結表面觀測及LCR 之電性測量後發現:晶粒大小隨著釔摻雜量增加而增加,在摻雜量為0•8?1•0mo %時可得最大平均晶粒,然後隨著釔添加量的繼續增加而減少。電性測試與晶粒大小有一致的趨勢。比較氧化釔,碳酸釔的摻雜效果,以碳酸釔摻雜的燒結性、電性均較好。基於摻雜粉末活性、均勻性之考慮,將氧化釔經由硝酸溶解再以碳酸釔形式析附於鈦酸鍶粉末上,即本實驗中的D 製程,可得到最好的介電常數。其介電常數在1KHZ,25℃下可達28000。

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