Abstract
本論文之研究著重於具ｖ型電阻係數－溫度特性之(Pb1-xSrx)TiO3陶瓷半導體材料之開發. 各項製程參數, 包含半導化添加劑Y□離子,含量, 助燒結劑SiO2含量, 燒結溫度, 胚體成形壓力, 燒結後試片冷卻速率及Pb/Sr比例對此材料在微觀結構及電性方面的影響分述如下： (1) 1.0 mol% Y□離子的添加可使(PbSr)TiO3陶瓷半導化並得最低之電阻係數 (2) 5.0mol%以上SiO2含量可促進晶粒均勻成長, 但隨其含量增加,進一步晶粒成長卻受抑制 (3) 較高的燒結溫度(1260□C) 有助於試片微觀結構的完整發展,並達成良好的半導電性 (4) 胚體成型壓力對高SiO2含量(>5.0mol%) 燒結後試片之微觀結構及電性有顯著的影響; 成型壓力大者具較均云之微觀結構及較佳之電性表現 (5) 藉由增加試片燒結後之冷卻速率可使試片電阻係數下降, 然而適中的冷卻速率可達成試片在Tc以下具低的電阻係數及Tc以上高的電阻係數跳升 (6) Pb/Sr 比例之增加可使試片的Tc值往高溫移動, 但其電性卻隨之逐漸劣化在本研究中已可藉由精確的製程參數之控制成功地製做出在Tc以下具相當電阻係數值下降(>10□及Tc以上顯著的電阻係數跳升(>10□之新型正電阻溫度係數半導性陶瓷材料.