Abstract
本實驗藉著電子顯微鏡的技術，探討雙矽化鈦薄膜在矽晶上之形成。?利用兩段式退火，在（001 ）矽晶上成功地成長雙矽化鈦磊晶結構。籵發現有五種不同的磊晶型式，其磊晶晶粒大小可達20um。?利用離子束混合技術，改變鈦與矽之界面狀態，再予以兩段式退火，發現可於高溫（1100℃）下，提高雙矽化鈦薄膜在矽晶上之均勻性及覆蓋度。?介入一層鎳薄層於鈦膜與矽晶之間，可使得退火後，原先存在雙矽化鈦中之缺陷減至最低。且於溫度（1000℃）以上時，首次發現了金屬化合物（Ni Ti□ ）的磊晶結構。?磊晶上蒸鍍雙層金屬（鈦與鎳），則高溫（800?900℃）發現雙矽化鎳的磊晶結構，更高溫（1000℃）則出現拉長形晶粒，其長度可達微米。