Abstract
在本論文研究中利用穿透式電子顯微鏡配合廣角及低角度入射 X光繞射儀探討鈀及鈦金屬薄膜在單晶矽，多晶矽及離子佈植矽基板上的磊晶成長及高溫熱穩定性。實驗中的第一部份發現矽化鈀在 (111)晶向的單晶矽基板上之高溫穩定性遠比在(001)及(011)晶向者優越，此乃源於在 (111)晶向上鈀金屬薄膜傾向形成大範圍且低能量的磊晶矽化鈀所致。第二部份為Pd2Si 與 PdSi間相轉變及 PdSi穩定性探討。實驗發現 Pd2Si與PdSi間相轉變為一可逆反應。PdSi穩定性探討。實驗發現 Pd2Si與PdSi間相轉變為一可逆反應。PdSi穩定存在於 850-900□C間而Pd2Si仍為一高溫穩定相。第三部份則是研究矽化鈀在多晶及非晶質矽基板上的熱穩定性。結果顯示在非晶質矽基板上的矽化鈀在300 □C 時即進行分解而多晶矽基板上矽化鈀則可穩定存在於400□C。實驗亦發現矽化鈀形成過程中鈀為主要移動物種。第四部份的實驗是研究多晶矽及非晶質矽兩種不同基板狀態，對矽化鈦薄膜熱穩定的影響。實驗結果顯示在非晶質矽基板上成長的矽化鈦薄膜有較小的晶粒，故具較好的穩定性。第五部份實驗發現矽化鈦薄膜在氟化硼佈植試片上有優異的熱穩定性，此乃肇因於氟離子偏析到矽化鈦薄膜晶界，抑制晶粒成長，而強化其薄膜穩定性。