Abstract
本論文所使用的材料成分為50.8at%Ni與49.2at%Ti的鈦鎳合金。研究工作主要分為三部分，第一部份是研究室溫拘束時效，在試片無拘束時效熱處理之後，只經一次室溫拘束時效，就可得到雙向形狀記憶效應（TWSME），省去繁複的訓練步驟，得到優良的形狀記憶效應以供將來於微機電系統中的應用，實驗結果中發現試片673/45的試片具有最好的雙向形狀記憶效應，造成其形狀記憶效應的成因應與R-phase產生固定與穩定化現象有關。第二部分是研究高溫拘束時效，希望藉由高溫拘束時效製程，在試片時效熱處理過程中同時加以拘束以得到全方位形狀記憶效應（ARSME），實驗結果顯示，經過足夠的時效時間（673K溫度下，120min以上），就可以得到良好的全方位形狀記憶效應，其中試片C673K/420-Q368的形狀記憶回復率r可達-140%以上，造成其形狀記憶效應的成因為Ti11Ni14析出物於拘束時效過程產生有序化排列所致，同時在試片C673/30-Q368發現特殊之雙重形狀記憶效應（DSME）。第三部分是研究二階段拘束時效，預期將R-phase、Ti11Ni14析出物與差排三種機制可能造成雙向形狀記憶效應的因素，予以分辨及角色各自釐清，並且針對不同溫度條件下，拘束時效所造成雙向記憶行為的機制作徹底的研究。實驗結果顯示經由二階段拘束時效的方法，可以大幅提升形狀記憶回復率，同時也發現Ti11Ni14析出物有序排列、差排機制與R-phase穩定化皆可對形狀記憶回復率有所貢獻，而且可能各自具有其特定的方向性。